исследование ВСИ в карбиде кремния

Диссертация на тему «Примеси и собственные дефекты в

2010/4/1  Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и релаксационного отжига тема диссертации и автореферата по ВАК

获取价格

Диссертация на тему «Исследование процессов

2007/4/1  § 1.3 Основные легирующие примеси в карбиде кремния. § 1.4 Собственные и радиационные дефекты в карбиде кремния. ... Макаров В.В. Исследование голубой

获取价格

Исследование влияния механической активации сырья на

Карелин В.А., Андриец С.П., Юферова А.П., Балыков Ю.И. Исследование влияния температуры синтеза на образование карбида кремния различных кристаллических

获取价格

Исследование модификации карбида кремния методами

Исследование модификации карбида ... содержат все необходимое для решения поставленной задачи. ... поверхности использовалась для получения светодиодов на

获取价格

Исследование структуры слоев пористого карбида кремния

В карбиде кремния (Бг = 3,2 эВ для политипа 6Н и Бг = 3,4 эВ для политипа 4Н) [2] туннелирование - наиболее возможный механизм пробоя, при концентрации

获取价格
Светличный Александр Михайлович, Спиридонов Олег Борисович, Линец Людмила Геннадьевна, Коломийцев Ал...

На правах рукописи Давыдовская Клавдия Сергеевна

РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КАРБИДЕ КРЕМНИЯ И ДЕГРАДАЦИЮ ПРИБОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ Специальность 1.3.11 – Физика полупроводников АВТОРЕФЕРАТ

获取价格

Изучение эпитаксиального соответствия карбида кремния

няет два атома кремния, т.е. в области протекания твердофазной реакции появляются структур-ные вакансии. Возникновение вакансий позволяет существенно снизить

获取价格

Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния

Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами. Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

获取价格

Влияние температуры облучения на образование

2010/4/1  Давыдовская Клавдия Сергеевна. Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его

获取价格

ПОЛУЧЕНИЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ ПРИ

В течение достаточно длительного времени потребности металлургии , огнеупорного и кера-мического производств в карбиде кремния удовлетворялись за счет

获取价格

Карбид кремния: характеристики и использование в

2024/10/28  Его использование даёт в ряде случаев возможность достигать ранее недостижимых характеристик. Уже сейчас в РФ карбид кремния производится в

获取价格

Исследование модификации карбида кремния методами лучевой эрозии в ...

ИССЛЕДОВАНИЕ МОДИФИКАЦИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ МЕТОДАМИ ЛУЧЕВОЙ ЭРОЗИИ В УСЛОВИЯХ ФАЗОВОГО СОСТАВА АТМОСФЕРЫ: ОБЗОР ... поверхности

获取价格

Получение эпитаксиальных слоев карбида кремния методом сублимации в ...

1.3 Основные легирующие примеси в карбиде кремния 26. 1.4 Собственные и радиационные дефекты в карбиде кремния. 1.4.1. Собственные и радиационные

获取价格

Электронная структура и спиновые свойства дефектов в

2007/4/1  Солтамов, Виктор Андреевич. Электронная структура и спиновые свойства дефектов в широкозонных полупроводниках: нитриде алюминия и карбиде кремния: дис.

获取价格

Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в ...

2010/4/1  Давыдовская Клавдия Сергеевна. Влияние температуры облучения на образование радиационных дефектов в карбиде кремния и деградацию приборов на его

获取价格

Магнито оптическая резонансная спектроскопия и

В многочисленных лабораториях в мире ведутся работы по манипулированию одиночными спинами и одиночными фотонами (кубитами) в карбиде кремния в условиях

获取价格

ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ КАРБИДА КРЕМНИЯ

ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ ПОВЕРХНОСТИ КАРБИДА КРЕМНИЯ ... - и наноэлектроники у метода эпи-таксиального роста графена на карбиде кремния [3], так

获取价格

Вакансионные центры в карбиде кремния 4H-SiC и нитриде

Мурзаханов Фадис Фанилович. Вакансионные центры в карбиде кремния 4H-SiC и нитриде бора hBN: электронная структура и спиновая поляризация триплетных состояний: дис.

获取价格

Магнито оптическая резонансная спектроскопия и

В многочисленных лабораториях в мире ведутся работы по манипулированию одиночными спинами и одиночными фотонами (кубитами) в карбиде кремния в условиях

获取价格

Эволюция реальной структуры кристаллов карбида кремния в

Бритун, Виктор Федорович. Эволюция реальной структуры кристаллов карбида кремния в процессах роста, пластической деформации и фазовых превращений: дис. кандидат

获取价格

Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в ...

2007/4/1  Ильин, Иван Владимирович. Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и

获取价格

Исследование лавинного умножения в~карбиде

К карбиду кремния этот метод до настоящего времени не применялся. В данной работе исследовалось лавинное умножение ТИЭЗ в эпитаксиаль-ных р—гс-переходах на

获取价格

Диссертация на тему «Получение и исследование

2010/4/1  ПОЛУЧЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СВОЙСТВ. 1.1. Методы получения и легирования монокристаллов

获取价格

Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в ...

2007/4/1  Ильин, Иван Владимирович. Электронный парамагнитный резонанс дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниках: карбиде кремния и

获取价格

Исследование лавинного умножения в~карбиде

К карбиду кремния этот метод до настоящего времени не применялся. В данной работе исследовалось лавинное умножение ТИЭЗ в эпитаксиаль-ных р—гс-переходах на

获取价格

Диссертация на тему «Получение и исследование

2010/4/1  ПОЛУЧЕНИЕ ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ СВОЙСТВ. 1.1. Методы получения и легирования монокристаллов

获取价格

Исследование дефектообразования в~карбиде кремния

2024/10/10  де кремния при воздействии импульсов эк- симерного лазера методом каналирования, Письма в ЖТФ, 1990, том 16, выпуск 3, 71–

获取价格

Карбид кремния, легированный алюминием, и его использование в ...

2010/4/1  Помещая в ростовой ячейке перед Фронтом роста графитовый экран, условия роста эпитаксиальных слоев смешали в сторону 31С-С, что приводило к

获取价格

Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния

2010/4/1  Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния скачать бесплатно автореферат. Заказать доставку диссертации по физике, 01.04.10 специальность ВАК

获取价格

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ

В деле получения «кристаллов карбида кремния и их леги­ рования различными примесями важную роль сыграли совет­ ские исследователи: В. И. Ионов, В. П. Новиков, А. А. Пле-

获取价格

Исследование влияния добавки кремния на фазовый состав

В статье приведен анализ диаграммы состояния системы Al Si C, построены изотермический и политермический разрезы. Теоретически обоснована концентрация

获取价格

(PDF) Компактирование нанопорошка карбида

2015/4/8  Мохов Е. Н. Примеси и собственные дефекты в карбиде кремния в связи с условиями роста, легирования и ...

获取价格

Исследование возможности выращивания объемных

Рассмотрена задача создания гетерополитипных приборных структур на карбиде кремния ...

获取价格

ФОРМИРОВАНИЕ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПОДЛОЖКАХ

норазмерами в карбиде кремния. В том числе рассмотрено формирова-ние сквозных отверстий в подложках карбида кремния с эпитаксиальными слоями нитрида галлия.

获取价格

Исследование влияния условий химического осаждения из

2006/5/27  Митченко, Иван Сергеевич. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния: дис. кандидат

获取价格

Процессы формирования и электрофизические свойства

ГЛАВА ¡.МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДИФФУЗИИ В КАРБИДЕ. КРЕМНИЯ ПРИ ОБРАЗОВАНИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ. 1.1. Условия образования твердых растворов.

获取价格